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铜钼复合添加ZnO-TiO2微波介质陶瓷的低温烧结及相转变

刘忠池 , 周东祥 , 龚树萍 , 胡云香

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00712

研究了添加0.25CuO-0.75MoO3(摩尔比, 简记为CM)对ZnO-TiO2 (简记为ZT)陶瓷的低温烧结特性、相转变及微波介电性能的影响. CM添加的ZT陶瓷由传统的固相反应方法制备而得, 烧结温度限定在900~1050℃范围内. 样品的显微形貌、元素成分、物相构成及微波介电性能分别由FE-SEM、EDS、XRD及网络分析仪进行表征或测量. EDS及XRD分析显示, Cu2+ 和Mo6+ 均进入了ZT陶瓷的主晶相的晶格, 并导致ZnTiO3分解温度的降低, 同时, 也降低了在Zn2TiO4和金红石之间形成固溶体(Zn2Ti3O8)的起始温度. 实验结果表明, CM的添加可有效地促进ZT陶瓷的低温致密化烧结. 添加4wt%CM且在975℃烧结4h后的ZT陶瓷的密度可达理论值的94%, 其微波介电性能为品质因素Qf=12150GHz, 介电常数εr =28.6,谐振频率温度系数τf=+17.8×10-6/℃.

关键词: ZnO-TiO2 , low temperature sintering , phase transitions , microwave dielectric properties

溶胶-凝胶制备(Ca0.7Mg0.3)SiO3陶瓷及其微波介电性能

王焕平 , 徐时清 , 张启龙 , 杨辉

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00691

以硝酸钙、硝酸镁、正硅酸乙酯为先驱体, 利用溶胶-凝胶法合成了(Ca0.7Mg0.3)SiO3陶瓷粉体, 研究了不同物相和粒径粉体的烧结特性以及陶瓷的微波介电性能. 结果表明: 干凝胶的煅烧温度低于800℃时, 所得粉体主要为无定型态, 煅烧温度超过900℃后, 晶相大量形成; 当以无定型粉体或900℃煅烧获得的细小粒径粉体为原料时, 均难以获得致密结构的陶瓷; 形成完整的粉体原料晶相以及粒径的增大, 有利于陶瓷体的致密烧结和微波介电性能的提高. 粒径分别为50~100nm以及90~300nm的陶瓷粉体, 在1320℃烧结后均获得良好的微波介电性能, 介电常数εr分别为6.62、6.71, 品质因数Q×f值分别为36962、41842GHz, 谐振频率温度系数τf分别为--48.32×10-6/℃、--49.63×10-6/℃.



关键词: 溶胶-凝胶 , (Ca0.7Mg0.3)SiO3 , grain size , microwave dielectric properties

(1-x)CaTiO3-xLi1/2Sm1/2TiO3陶瓷的微波介电性能研究

李月明 , 宋婷婷 , 胡元云 , 彭浩 , 刘维良

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00695


采用固相法制备了(1-x)CaTiO3-x(Li1/2Sm1/2)TiO3系列微波介质陶瓷材料, 研究了该体系的相组成、烧结性能和微波介电性能之间的关系. 结果表明: 在x=0.1~0.9mol范围内, (1-x)CaTiO3-x(Li1/2Sm1/2)TiO3
体系均形成了单一的斜方钙钛矿结构; x=0.1~0.5和x=0.6~0.9组分的最佳烧结温度分别为1250和1300℃; 介电常数εr、无载品质因数与谐振频率乘积Qf值、谐振频率温度系数τf均随着x的增大而减小. 当x=0.7时, 1300℃下保温5h烧结得到的材料的微波介电性能为: εr=116.5, Qf=3254GHz, τf=42.43×10-6/℃.



关键词: Li1/2Sm1/2TiO3 , perovskite , microwave dielectric properties

合成工艺对BiNbO4微波介质陶瓷的影响

姚尧 , 赵梅瑜 , 吴文骏 , 王依琳

无机材料学报

本文研究了BiNbO4粉料合成温度及烧结助剂CuO-V2O5添加程序对BiNbO4陶瓷烧结特性及微波介电性能的影响.结果表明:合成温度为850℃/2h及合成后加入烧结助剂CuO-V2O5的BiNbO4陶瓷有高的密度值、较为均匀的晶粒尺寸及良好的介电性能:在100MHz,εr=49~52,在3GHz,εr=44,Q=2000~2300,τr=38ppm(-40~25℃);τr=±6ppm(25~85℃).

关键词: BiNbO4 , synthesizing process , microwave dielectric properties

低温烧结陶瓷BiMg2VO6的微波介电性能

谢会东 , 席海红 , 李飞 , 陈超

无机材料学报 doi:10.15541/jim20140298

通过传统的固相反应方法制备了低温烧结微波介质陶瓷BiMg2VO6,研究了该陶瓷与银的化学兼容性、物相、形貌及在720~840℃内的密度和微波介电性质,并测试了陶瓷的红外反射光谱.结果表明:陶瓷在780℃条件下与银共烧不发生反应,相对密度大于93.8%.在780℃条件下烧结2h得到的陶瓷具有最好的微波介电性能:介电常数为13.4,Q×f值为15610 GHz(f=8.775 GHz),温度系数为-87.2×10-6/℃.红外反射谱数据处理显示,BiMg2VO6的光频介电常数ε∞=3.4,微波频段的外推值为13.5.BiMg2VO6陶瓷好的微波介电性能和低的烧结温度,使其有望用作新的低温共烧陶瓷.

关键词: BiMg2VO6 , 微波介电 , 烧结性 , 陶瓷

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